ウエットエッチング セミナー
        
アクチュエータの新材料,駆動制御,最新応用技術
自動車・航空機用樹脂の最新技術
 

<セミナー No 704204>


★エッチピット・アンダーカット・マイクロピラミッドなどの仕上がり形状,添加物の影響・・・

★ウェットエッチング時に生じる問題の原因解明,その傾向と対策のポイントを学びます。


ウェットエッチング

仕上がり高精細化,エッチング液選定,評価


■ 講師

第1部 広島市立大学 大学院 情報科学研究科 医用情報科学専攻 教授 博士(工学) 式田 光宏 氏
         
第2部 林純薬工業(株) 研究開発本部 取締役 本部長 田湖 次広 氏

第3部 (株)日立製作所  研究開発グループ エレクトロニクスイノベーションセンタ ナノプロセス研究部 
     主任研究員 篠田 和典 氏

第4部 ものつくり大学 技能工芸学部 製造学科 教授 博士(工学) 平井 聖児 氏

■ 開催要領
日 時

平成29年4月24日(月) 10:30〜17:00

会 場 [東京・五反田] 日幸五反田ビル8F 技術情報協会 セミナールーム
聴講料

1名につき 60,000円(消費税抜、昼食・資料付)
〔1社2名以上同時申込の場合のみ1名につき55,000円〕

〔大学、公的機関、医療機関の方には割引制度があります。詳しくは上部の「アカデミック価格」をご覧下さい〕

■ プログラム

【10:30〜12:00】

第1部 ウェットエッチングプロセスとその高機能化および エッチング特性評価

●講師 広島市立大学 大学院 情報科学研究科 医用情報科学専攻 教授 博士(工学) 式田 光宏 氏

 

【セミナープログラム】

1.結晶異方性エッチングにおける基本特性  
  1-1 エッチング速度の結晶方位依存性  
  1-2 エッチング液濃度および温度依存性  
  1-3 結晶異方性エッチングモデル  
  1-4 表面粗さの結晶方位依存性  
  1-5 エッチング液種の違い(KOHとTMAHの違い)

2.結晶異方性エッチングにおける注意事項  
  2-1 エッチピット発生メカニズムとその対策
  2-2 マイクロピラミッド発生メカニズムとその対策  
  2-3 液中不純物の影響

3.エッチング特性対する添加物の影響
  3-1 金属イオンの影響
  3-2 界面活性剤の影響

4.エッチング加工の高機能化  
  4-1 アンダーカット現象のメカニズムとその対策  
  4-2 多層マスクによるエッチング形状の多面体化
  4-3 エッチング加工の高速化
  4-4 異方性エッチングによるスキャロッピングの選択的除去

【質疑応答】


【12:40〜14:00】

第2部 再現性・精度向上のためのMEMSエッチングでの エッチング液やエッチング装置の使い方,その応用

●講師 林純薬工業(株) 研究開発本部 取締役 本部長 田湖 次広 氏

 

【セミナープログラム】

1.MEMSエッチングの概論
  1.1 MEMSエッチングの背景や経緯
  1.2 他のエッチングプロセスとの違い

2.エッチング剤の選び方・使い方
  2.1 選び方,使い方(レシピ・処方)
  2.2 各種材料のウエットエッチング技術

3.ウエットエッチング装置の選び方・使い方
  3.1 選び方
  3.2 使い方(レシピ・処方)

4.応用(特殊機能性薬剤)
  4.1 アルミ・アルミ合金テーパーエッチング剤
  4.2 アルミ防食シリコン異方性エッチング剤
  4.3 アルミ防食絶縁膜エッチング剤

【質疑応答】


【13:50〜15:20】

第3部 化合物半導体およびシリコン系材料の ウェットエッチング液と半導体プロセスへの応用

●講師 (株)日立製作所  研究開発グループ エレクトロニクスイノベーションセンタ ナノプロセス研究部 
     主任研究員 篠田 和典 氏

 

【講座の趣旨】

  化合物半導体やシリコン系材料のウェットエッチング技術は,光通信用レーザなどの半導体デバイスを開発,製造する際に不可欠な技術である。本講演では,これら材料のウェットエッチングの原理,各種ウェットエッチング液,そして半導体プロセスへの応用例を,メーカの開発現場を長く経験してきた講師が,実経験を交えながら分かりやすく解説する。また,ウェットエッチングの課題と,解決に向けた最新の研究成果を紹介する。


【セミナープログラム】

1.光デバイスの構造、作製プロセスとエッチング技術への要求
   1-1 デバイス構造と材料
   1-2 エッチング工程への要求

2.ウェットエッチングとドライエッチングの比較
   2-1 加工形状
   2-2 損傷

3.化合物半導体ウェットエッチングの基礎
   3-1 エッチング液の構成
   3-2 エッチング反応
   3-3 選択エッチング
   3-4 律速過程
   3-5 面方位依存性

4.各種材料のウェットエッチング液
  4-1 化合物半導体(InP,GaAs,GaN)
  4-2 Si系材料(Si,SiN,SiO2)

5.ウェットエッチングの課題と新技術
  5-1 半導体デバイスの微細化/三次元化動向
  5-2 ウェットエッチングの課題
  5-3 原子層レベルドライ除去

【質疑応答】


【15:30〜17:00】

第4部 エッチングプロセスの解析と エッチング液の選択指針

●講師 ものつくり大学 技能工芸学部 製造学科 教授 博士(工学) 平井 聖児 氏

 

【セミナープログラム】
1.ウエットエッチングとは

2.異方性エッチングとは

3.エッチングメカニズムの概略

4.仕上がり形状に関するエッチング実験

5.エッチングプロセスについて

6.反応メカニズムについて

7.仕上がり形状のシミュレーション

8.シリコン半導体ボールへの応用例など

9.エッチング液の選択指針について



【質疑応答】

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