パワーデバイス 封止 セミナー
        

放熱・高耐熱材料の特性向上と熱対策技術

光学樹脂の屈折率、複屈折制御技術
 
<セミナー No.710428>

★部材の開発動向と高耐熱化に向けた材料設計を探る!

パワーデバイス用樹脂封止材の設計


■ 講師
1. 筑波大学 数理物質系 物理工学域 教授 博士(工学) 岩室 憲幸 氏
2. 日本化薬(株) 機能化学品事業本部 機能化学品研究所 第1グループ 川野 裕介 氏
3. 日立化成(株) イノベーション推進本部 マーケティングセンタ マーケティンググループ 部長代理 戸川 光生 氏
■ 開催要領
日 時

平成29年10月25日(水) 10:30〜16:10

会 場 [東京・五反田]技術情報協会 セミナールーム
聴講料 1名につき55,000円(消費税抜き・昼食・資料付き) 
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき50,000円(税抜)〕
〔大学、公的機関、医療機関の方には割引制度があります。
詳しくは上部の「アカデミック価格」をご覧下さい〕
■ プログラム

< 10:30〜12:00>

1.パワーデバイスの最新技術と封止材への課題

筑波大学  岩室 憲幸 氏

 


1.パワーエレクトロニクスとは

2.次世代パワーデバイス開発の位置づけ

3.最先端シリコンパワーデバイスの現状

4.SiCパワーデバイスの現状と課題
 4.1 なぜSiCが注目されているのか
 4.2 SiC-MOSFETの作成プロセス解説
 4.3 Si-MOSFETプロセスと何が違うのか。
 4.4 SiC-MOSFET特有の設計ポイントは何か
 4.5 高温対応実装技術

5..まとめ

 

【質疑応答・名刺交換】


<13:00〜14:30>

2.パワーデバイス用エポキシ樹脂の開発

日本化薬(株)  川野 裕介 氏

 


【講演概要】
 近年、パワー半導体の高機能化に伴い、そのICの保証温度は125℃から150℃、最近では駆動温度の最大値を175℃と設定しているパッケージが出てきている。また、SiCやGaNなどのワイドギャップデバイスでは200℃以上での適用も検討されており、このような駆動環境に耐え得る樹脂材料が求められる。 このような要求に対し、その樹脂に求められる特性としては、耐熱性、高温保管安定性(耐熱分解特性)、耐電圧特性、放熱性が重要となる。
 本講演ではエポキシ樹脂の高耐熱化技術を紹介するとともに、次世代デバイスに向けた更なる高耐熱性を持つ熱硬化性樹脂材料を紹介する。
 パワーデバイスの高温駆動に伴い、そのパッケージの樹脂材料にも高耐熱化が求められている。高耐熱性エポキシ樹脂の構造設計においては高耐熱化とトレードオフの特性がいくつかあり、高耐熱性とそのトレードオフの特性をいかに両立するかが高耐熱性エポキシ樹脂の構造設計においてはポイントとなる。

1.電子材料、及びパワーデバイス向け材料における耐熱性のニーズ

2.高耐熱性エポキシ樹脂の構造設計
 2.1 エポキシ樹脂の構造と特性
 2.2 高耐熱性エポキシ樹脂の構造設計

3.さらなる高耐熱性に向けた取り組み

 

【質疑応答・名刺交換】


<14:40〜16:10>

3.パワーデバイス関連材料の技術・開発動向

日立化成(株)  戸川 光生 氏

 

1.前述
◎パワーデバイス/モジュールの高機能化のために構成部材に期待される役割及び当社材による提案概要

2.封止材
◎シリコーンゲルとエポキシ封止材の相違概要及びエポキシ封止材適用時の留意点、当社技術の紹介

3.コート材
◎エポキシ封止材の留意点である剥離対策及び絶縁性向上効果の紹介

4.絶縁放熱材
◎モジュール内絶縁層樹脂化/厚銅回路化の提案

5.TIM材
◎縦配向カーボンシート適用による放熱性/信頼性向上の提案


【質疑応答・名刺交換】


樹脂 耐熱 セミナー