| 第１編 エレクトロニクスにおけるスケーリングの追求と絶縁膜の技術・科学的課題 |
| 第1章
絶縁膜の超薄膜化ニーズ （岩井 洋）
1. はじめに
2. 集積回路におけるトランジスタの微細化の必要性
3. トランジスタ微細化の問題点とその解決策
4. スケーリング則
5. MOSFET ゲート絶縁膜の超薄膜化ニーズ
6. その他の絶縁膜の超薄膜化ニーズ
7. まとめ
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第2章 絶縁体超薄膜における量子界面物性の基礎的諸問題 （長谷川 英機）
1. high −κ絶縁体薄膜を持つMOS
構造とその界面電子物性
2. 金属−半導体および金属−絶縁体界面におけるフェルミ準位ピンニング
3. 絶縁体超薄膜と半導体の界面におけるバンドの相互配置
4. 絶縁体超薄膜と半導体の界面における界面欠陥準位とその制御
5. おわりに
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| 第２編 絶縁超薄膜技術〜分子設計・加工・評価〜 |
| 第1章
ゲートスタック絶縁膜設計研究
第1節 次世代ゲート絶縁膜の材料設計とその応用 （知京 豊裕/生田目 俊秀/関口 隆史/
Chen Jun /若山 裕）
1. 次世代集積回路のゲート絶縁膜の抱える課題
2. high −κ材料の設計指針：電子構造と結晶構造から見た材料選択
3. high −κ/SiO2 界面の制御
4. 欠陥の視覚化
5. high −κのSi への直接接合
6. 酸化物の電子構造とバンドオフセット
7. high −κ材料と新材料との融合：分子メモリへの挑戦
8. ゲート絶縁膜を巡る最近の話題と今後の課題
第2節 原子層制御界面とエピタキシャル成長HfO2
ゲート絶縁膜による高性能ゲートスタックの創製技術 （太田 裕之/右田 真司/森田 行則）
1. はじめに
2. HfO2 直接成長のためのSi 表面処理技術
3. エピタキシャル成長によるSi 表面へのHfO2 絶縁膜の直接成長
4. おわりに
第3節 X 線光電子分光と第一原理分子軌道計算によるMOS
界面局所構造の物性研究〜誘電率と絶縁破壊電界〜 （廣瀬 和之/小林 大輔）
1. MOSFET の局所構造の物性
2. X 線光電子分光による誘電率の推定法
3. 第一原理分子軌道計算による光学的誘電率の推定
4. 第一原理分子軌道計算による絶縁破壊電界の推定
5. まとめ
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| 第2章
評価と評価技術
第1節 EUPS による絶縁膜表面・界面の精密評価 （富江 敏尚）
1. はじめに
2. EUPS を用いた、絶縁超薄膜の膜質・界面の精密評価法測定例
3. EUPS で絶縁超薄膜の膜質・界面の精密評価法を可能にする原理
4. おわりに
第2節 誘電体表面付近の電荷密度分布シミュレーション （村田 英一/野田 啓介/石原 嘉隆/下山 宏/須原 浩之/田中 宏昌）
1. はじめに
2. 電子光学装置とV th 分布
3. 複合誘電体系における境界電荷法
4. 誘電体表面電荷密度分布シミュレーション
5. 計算結果と検証
6. まとめ
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| 第３編 ポストシリコン・トランジスタとゲート絶縁膜 |
| 第1章
カーボンナノチューブ電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜（大野 雄高）
1. はじめに
2. CNFET
3. high −κ絶縁膜界面と素子特性
4. おわりに
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| 第2章
グラフェンチャネルFET のゲートスタック技術 （尾辻 泰一）
1. はじめに
2. グラフェンチャネルFET の基本動作特性と高性能化への課題
3. ゲートスタック技術
4. まとめ
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| 第3章
Ge − MOS 対応ジルコニアhigh −κゲートスタックの形成 （中島 寛）
1. はじめに
2. 実験方法
3. 結果と考察
4. おわりに
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| 第４編 層間絶縁膜 |
| 第1章
low −κ薄膜絶縁材料開発 （工藤 一秋）
1. はじめに
2. 層間絶縁膜材料
3. ILD 用low −κ材料開発の推移
4. おわりに
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| 第2章
無機高分子系多孔質low −κ層間絶縁膜材料NCS の開発 （矢野 映/中田 義弘/中村 友二）
1. はじめに
2. 代表的な絶縁材料
3. 無機高分子系多孔質low −κ層間絶縁膜材料の課題
4. 無機高分子系多孔質low −κ層間絶縁膜材料NCS の開発コンセプトと特性
5. Cu/NCS多層配線形成時の課題と対策
6. Cu/NCS多層配線の性能
7. おわりに
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| 第3章
ポリイミドナノ粒子による次世代low −κ膜生成 （石坂 孝之/笠井 均/及川 英俊）
1. はじめに
2. 低誘電率膜作製に対する研究例
3. 再沈法によるポリイミドナノ構造体の作製
4. low−κナノ粒子膜の作製
5. おわりに
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| 第4章
ポリイミド代替指向〜 多孔性low −κポリベンゾオキサゾール絶縁膜材料の開発〜 （福丸 貴弘/藤ヶ谷剛彦/中嶋 直敏）
1. はじめに
2. PPBO 前駆体（t−Boc−prePBO）の合成
3. t−Boc−prePBOフィルムおよびPPBO フィルムの作製および評価
4. 光酸発生剤を用いたt−Boc−prePBOフィルムのパターニング
5. おわりに
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| 第5章 エポキシ系層間絶縁フィルムの開発 （中村 茂雄）
1. 概要
2. エポキシ系層間絶縁フィルムの開発
3. エポキシ系層間絶縁フィルム（ABF；Ajinomoto Build − up Film）
4. ABF 新開発品
5. ガラスクロスとの複合材料
6. 極薄銅転写フィルムつきABF
7. おわりに
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| 第５編 絶縁膜形成とエッチング |
| 第1章
ナノエレクトロニクスを支える先端成膜技術 （斎藤 秀俊）
1. 昔の薄膜形成に見る薄膜形成の基本的な考え方
2. 現代の薄膜
3. 薄膜形成技術の分類
4. PVD法
5. CVD法
6. レイヤーエピタキシー法
7. おわりに
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| 第2章 材料の構造設計可能な低温・低損傷・中性粒子ビーム励起堆積技術 （寒川 誠二）
1. はじめに
2. 中性粒子ビーム生成装置
3. 中性粒子ビーム励起絶縁膜堆積技術コンセプト
4. 超低誘電率膜の実現
5. 中性粒子ビームによるSi およびGe低温高品質酸化技術
6. まとめ
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| 第3章 ゲート絶縁膜形成技術〜
高性能high−κ絶縁膜ゲートスタック構造構築と成膜条件（high −κ/Ge 系を事例として） （田岡 紀之/財満 鎭明）
1. はじめに
2. Ge酸化物の特性
3. Ge MOS界面の界面層による特性制御
4. まとめと今後の課題
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| 第4章 high−κ膜のドライエッチング （斧 高一）
1. はじめに
2. high−κ絶縁膜材料のエッチング
3. BCl3プラズマによるHfO2エッチング
4. メタル電極材料のエッチング
5. おわりに
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| 第5章 層間絶縁膜の成膜とエッチング （石川 健治/堀 勝）
1. はじめに
2. ナノエレクトロクスにおける配線形成プロセス
3. 層間絶縁膜の成膜
4. 層間絶縁膜のエッチング
5. デバイス特性への影響
6. まとめ
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| 第６編 ナノエレクトロニクスと絶縁膜技術展望 （鳥海 明） |
| 1. 絶縁膜の性質と意味
2. 界面特性を変調させる絶縁膜
3. 絶縁膜の電気的信頼性と新機能性
4. 新材料と絶縁膜の界面
5. おわりに
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