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【本セミナーで学べること】
・リソグラフィの最先端技術と開発動向
・レジスト材料の最先端技術と要求特性
・EUVリソグラフィの課題・対策
・EUVレジストの要求特性と課題・対策
・レジスト材料のビジネス動向
【講座概要】
メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっている。微細加工を支えるリソグラフィ技術は現在先端の量産工程でダブル/マルチパターニング、EUVが用いられている。レジスト材料はこのようなリソグラフィ技術の変革に対応して進展し続けている。
本講演では、最新のロードマップを紹介した後、リソグラフィの最先端技術、開発動向、レジスト材料への要求特性について解説する。この中でEUVリソグラフィ、EUVレジストについての詳細を述べる。注目されているEUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセスについて詳しく解説する。さらにリソグラフィ技術の今後の展望、レジスト材料の市場動向についてまとめる。
１．ロードマップ
1.1 リソグラフィ技術、レジスト材料への要求特性
1.2微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢
1.3最先端デバイスの動向
２．リソグラフィ技術の最新動向とレジスト材料への要求特性
2.1 ArF液浸リソグラフィ/レジスト
2.2ハードマスクプロセス
2.3ダブル/マルチパターニング
2.3.1リソ−エッチ（LE）プロセス
2.2.2セルフアラインド（SA）プロセス
2.4自己組織化（DSA）リソグラフィ
2.4.1グラフォエピタキシー
2.4.2ケミカルエピタキシー
2.5ナノインプリントリソグラフィ
2.6 EUVリソグラフィ
2.6.1 EUVリソグラフィの現状と課題・対策
2.6.2 EUVリソグラフィのトピックスと開発動向
2.6.3 EUVレジストの要求特性と設計指針
2.6.4 EUVレジストの課題・対策
2.6.5 EUVレジストの開発動向
2.6.6 EUVメタルレジストの特徴
2.6.7 EUVメタルレジストの開発動向と性能
2.6.8 EUVメタルドライレジストプロセスの特徴・性能と開発動向
３．リソグラフィ技術の今後の展望
４．レジスト材料の市場動向
【質疑応答】
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