めつき セミナー
        
次世代高速通信に対応する光回路実装、デバイスの開発
次世代半導体パッケージの最新動向とその材料、プロセスの開発
 
<セミナー No.412202>
【Live配信のみ】 アーカイブ配信はありません

★液組成,浴温,電流密度,結晶構造,電気抵抗,形状,堆積速度,,,

★めっき添加剤の膜物性への影響は? 

★めっき添加剤の選び方と使い方

★めっき膜の評価,膜質および耐久性の向上,今後の技術の展望

 

めっき法の基礎および堆積形状・ 膜物性の

添加剤による制御とその低減策

 


■ 講師


関西大学 システム理工学部 名誉教授・特別任用教授 理学博士 新宮原 正三 氏


  <受賞歴> 
    1990年 SSDMベストペーパー賞, 
    2015年 応用物理学会フェロー表彰

   <学会・委員会活動>
     応用物理学会,電気化学会,エレクトロニクス実装学会,
    Electrochemical Society, Materials Research Society, IEEE

    ※その他,表面処理関連の執筆,講演多数

■ 開催要領
日 時

2024年12月9日(月) 10:30〜16:30

会 場 Zoomを利用したLive配信 ※会場での講義は行いません
Live配信セミナーの接続確認・受講手順は「こちら」をご確認下さい。
聴講料

1名につき55,000円(消費税込み・資料付き)
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき49,500円(税込み)〕
〔大学、公的機関、医療機関の方には割引制度があります。
         詳しくは上部の「アカデミック価格」をご覧下さい〕

※定員になり次第、お申込みは締切となります。

■ プログラム

【講座の趣旨】

  電解および無電解めっきによる金属薄膜形成の基礎を概説する。その上で大に無電解めっき法に関して,めっき条件(還元剤・添加剤等の組 成,浴温,pH)とめっき膜物性(結晶構造,電気抵抗)及び金属膜堆積特性(形状,堆積速度)などの相関に関して,銅,ルテニウム,Co合金などを具体的事例 に取り上げて詳細な解説を行う。


【セミナープログラム】

1.電解めっき法の基礎
  ・電解めっきでの電位−電流依存性
  ・電流効率とファラデーの法則

2.無電解めっき法の基礎
  ・触媒(Pd)前処理法
  ・無電解Cu及びRuめっきの基礎反応過程

3.電解銅めっきによるボトムアップ埋め込み技術
  ・ダマシン法と微細銅配線技術
  ・ボトムアップ埋め込みの添加剤
  ・ボルタンメトリによるめっき機構解析
  ・ボトムアップ埋め込みと電圧(電流)波形


4.無電解銅めっきにおけるボトムアップ堆積技術

5.添加剤とめっき膜質
  ・室温結晶粒成長現象と添加剤の影響
  ・添加剤の膜中への取り込みとその評価
  ・不純物の取り込みと結晶粒径, 電気抵抗の相関
  ・熱処理での結晶粒成長現象
  

【質疑応答】


受講者の皆様の抱える疑問点や問題点について,
開催3日前までに 「事前リクエスト用紙」
(請求書に同封)や 「Eメール」 を御寄せ頂けましたら,
講演中に対応させて頂きます。

 

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