【講演趣旨】
大気圧プラズマは,減圧プラズマに代わる新たなプラズマ源として国内外を問わず活発に研究されてきた.
例えば,誘電体バリア放電(Dielectric Barrier Discharge: DBD)に代表されるように,大面積かつ安定なプラズマ源が開発・利用されつつある.このようなプラズマ源を応用すれば,低温かつ高能率なプロセスが実現可能になるだけでなく,使用する原料ガスが大気中で安定かつ安全であれば高価な真空排気系も不要となり,装置を大型化し易いなど,デバイス製造コストの削減に関してもメリットは大きい.そのため,成膜用ガラス基板表面のクリーニング,樹脂基板の表面改質によるぬれ性,付着力,接着性能の改善など,表面処理プロセスへの応用が活発に行われている.
一方,薄膜形成(プラズマCVD)に関する研究動向としては,大気開放系での低温・低コスト成膜法を目指した開発が中心となっており,酸化物系薄膜(SiO2,TiO2,ZnO等)や炭素系薄膜(非晶質C,DLC等)等の研究が報告されている.しかし,大気圧プラズマの本来の特性を積極的に利用すれば,例えばSiのような電気特性が重要視される機能薄膜の低温・高能率形成への応用も十分に期待できる.
この観点から,我々は,150 MHzの超高周波(VHF)による安定・均一な大気圧プラズマ生成技術開発とSi系機能薄膜の低温・高能率形成への応用に関する研究を進めてきた.
本講演では,我々が開発してきた大気圧PECVD技術について,一般的な減圧プラズマCVDとの比較を交えて説明するとともに,これまでに得られている研究成果の一端を紹介する.
【プログラム】
1.プラズマ生成の基礎知識
2.一般的な薄膜作製法とプラズマの役割
3.薄膜の成長プロセスについて
4.減圧下における高密度プラズマプロセス
5.一般的な大気圧プラズマプロセス
6.超高周波(VHF)励起大気圧プラズマの特徴と性質
7.VHF励起大気圧プラズマを用いた機能性薄膜の形成例
7.1 Si薄膜
7.2 SiC薄膜
7.3 SiNx薄膜
7.4 SiO2薄膜
7.5 その他
【質疑応答】
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