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【１０：３０〜１１：３０】
第１部 半導体パッケージ基板向け材料の技術動向について
●講師 味の素ファインテクノ(株) 研究開発部 中村 洋介 氏
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【講座の趣旨】
味の素ファインテクノは長きにわたり有機半導体向け層間絶縁材料を供給し続けており，半導体の高性能化に寄与してきました。
昨今のデータ通信量増大に伴い，高周波対応と高密度対応の要求が高まっており，これらの要求に答える層間絶縁材料の動向をご紹介いたします。
また，多様なパッケージ構造を可能にする封止樹脂についてもご紹介させていただきます。
【セミナープログラム】
１．半導体パッケージのロードマップと味の素の半導体パッケージ用材料
1.1 半導体パッケージのロードマップ
1.2半導体パッケージ用材料
２．半導体パッケージ基板用Ajinomoto
Buildup Film?? (ABF)のご紹介
2.1 有機半導体パッケージ用層間絶縁材料
2.2 セミアディティブ法について
2.3 積層工程，Via形成工程，配線形成工程
３．低誘電損失Ajinomoto
Buildup Film?? (ABF)のご紹介
3.1 有機半導体パッケージの課題：低損失
3.2 次世代向け材料のご紹介
3.3 伝送損失低減のキーファクター
４．微細配線用Ajinomoto
Buildup Film?? (ABF)のご紹介
4.1 有機半導体パッケージの課題：微細配線
4.2 微細配線向け材料のご紹介
4.3 微細配線形成事例，絶縁信頼性
５．低反り封止樹脂のご紹介
5.1 有機半導体パッケージの課題：反り
5.2 低反り封止材料のご紹介
5.3 配線形成事例
６．まとめ
【質疑応答】
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【１１：４５〜１２：４５】
第２部 Low-k材料を目指した多孔質ポリイミド薄膜の作製とその誘電率評価
●講師 東北大学 未来科学技術共同研究センター
特任准教授(研究) 博士(理学) 小野寺 恒信 氏
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【講座の趣旨】
多孔質化は低誘電率化に極めて有効な手段であり，ポリイミド薄膜を構成する一次粒子の細密充填構造やその逆構造に着目した低誘電率化について，多孔質薄膜の作製法から誘電率評価までを解説します。
【セミナープログラム】
１．Low-k材料と低誘電率化
1.1 代表的なLow-k材料と開発の推移
1.2 低誘電率薄膜の作製についての研究例
1.3 多孔質構造の制御による低誘電率化
２．多孔質ポリイミド薄膜の作製法
2.1 ポリイミドナノ粒子堆積薄膜
2.2 多孔質ポリイミド薄膜
３．多孔質ポリイミド薄膜の構造・空孔率と誘電率の評価
3.1 多孔質ポリイミド薄膜の構造・空孔率の評価
3.2 多孔質ポリイミド薄膜の誘電率の評価
【質疑応答】
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【１３：４５〜１５：１５】
第３部 半導体パッケージ基板用絶縁材料の要求特性と応用
●講師 太陽インキ製造(株) 取締役
技術開発担当 工学博士 高 明天 氏
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【講座の趣旨】
本講座では実装材料として用いられる「層間絶縁材」について，下記３点に留意してご説明しようと考えております。
(1)半導体パッケージ基板用絶縁材料の概略を説明する
(2)半導体パッケージ基板用絶縁材料として重要な層間絶縁材について説明する
(3)半導体パッケージ基板用絶縁材料として重要なソルダーレジストについて説明する
上記を通じて，半導体パッケージ用絶縁材料についての理解を深めていただくことができればと思います。
【セミナープログラム】
１．半導体パッケージ基板用絶縁材料
1.1 半導体パッケージ基板に用いられる絶縁材料の種類
1.2 主な絶縁材料 コア基板
1.3 主な絶縁材料 層間絶縁材
1.4 主な絶縁材料 ソルダーレジスト
1.5 主な絶縁材料 インターポーザー
２．層間絶縁材について
2.1 熱硬化型層間絶縁フィルムの種類
2.2 高周波対応熱硬化型層間絶縁フィルムの開発経緯
2.3 当該フィルムのチップレットへの応用例
2.4 感光性層間絶縁フィルム
2.5 当該フィルムのチップレットへの応用例
３．ソルダーレジストについて
3.1 ソルダーレジストについて
3.2 半導体パッケージ向けソルダーレジスト
４．まとめ
【質疑応答】
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【１５：３０〜１６：３０】
第４部 〜CPU PKGの大型化，光インターコネクトへの展開〜
ハイエンドPKG実装における「層間絶縁」の評価技術と応用について
●講師 富士通(株) 富士通研究所
先端技術開発本部 テクノロジ開発統括部）第一開発部 水谷大輔 氏
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【講座概要】
ハイエンドPKG実装では，目的に合致する材料の選定と，使いこなしが重要な課題となっている。
本講座では，使う立場からの回路基板材料の評価技術と，今後の展望について，実際の評価例を交えながら解説する。
【セミナープログラム】
１．熱機械物性評価
1.1 熱膨張
1.2 粘弾性
1.3 基板反り
２．耐熱性評価
2.1 膨れのメカニズム
2.2 加熱発生ガス
3．基板性能向上への取り組み
3.1 キャパシタ内蔵基板
3.2 光インターコネクトの適用
【質疑応答】
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