SiC セミナー

次世代半導体パッケージの最新動向とその材料，プロセスの開発

自動運転車に向けた電子機器・部品の開発と制御技術

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＜セミナー　No.506201＞

【Live配信 or アーカイブ配信】

★「熱」的なトラブル，EMI対策，歩留まり・・・「 Si 」系と「 SiC 」系の工業的な難しさの違いとは？

★信頼性の評価項目，標準化の行方， SiCウェハの市場供給展望，新しい用途開発

ＳｉＣパワーデバイスの概要，

その信頼性と国際規格動向対応，今後の展望

■　講師

(一財)日本電子部品信頼性センター運営委員瀬戸屋孝氏

　　【元・東芝】

　　＜公職・学会活動など＞
　　　　・JEITA 半導体信頼性技術委員会主査(2010年～2022年）
　　　　・日科技連品質・信頼性研究会運営委員，
　　　　・RCJ（日本電子部品信頼性センター）運営委員

　　　　 ※その他半導体に関する業界活動，講演・執筆多数

■　開催要領

日　時	：	【Live配信】２０２５年６月４日(水)　１０：３０～１６：３０　【アーカイブ（録画）配信】２０２５年６月１１日まで受付（視聴期間：６月１１日～６月２０日まで）
会　場	：	ZOOMを利用したLive配信またはアーカイブ配信　※会場での講義は行いませんセミナーの接続確認・受講手順は「こちら」をご確認下さい。
聴講料	：	1名につき５５ ,０００円（消費税込，資料付）〔１社２名以上同時申込の場合１名につき４９，５００円（税込）〕〔大学，公的機関，医療機関の方には割引制度があります。詳しくは上部の「アカデミック価格」をご覧下さい〕

■　プログラム

【講座の趣旨】

　 SiCパワーデバイスは，電力変換効率や高温耐性に優れ，今後の産業において重要な役割を果たします。本セミナーでは，SiCパワーデバイスの信頼性向上に向けた最新技術や課題，さらに国際規格の動向について深掘りします。技術者や設計者にとって，実務に役立つ知識を提供し，最新の規格に対応するための具体的な対策を学ぶことができます。SiC技術の導入や品質向上に向けた重要な情報を得られる貴重な機会です。

【セミナープログラム】

１．はじめに
　　1.1 SiCデバイスの市場動向
　　　　a.SiCデバイスの品質レベル向上のインパクト
　　　　b.鉄道から普及が始めるSiC場デバイス

　　1.2 SiCデバイスの特徴と課題

２．SiCデバイスの信頼性と国際規格動向
　　2.1 ゲート閾値電圧測定法
　　　　a.ゲート閾値電圧測定の基礎
　　　　b.ゲート閾値電圧測定法の種類と特徴

　　2.2 AC-BTI試験法
　　　　a.SiCデバイスのDCとAC-BTIの劣化
　　　　b.国際標準化の状況

　　2.3 ゲート酸化膜信頼性　(TDDB)
　　　　a.SiCのTDDB試験法と課題
　　　　b.TDDB試験方法の国際動向

　　 2.4 Dynamic HTFB試験法
　　　　a.急激に進展する中国SiC材料メーカ
　　　　b.SiC結晶欠陥と材料評価としての Dynamic HTFB試験法

　　2.5 Powe Cycle 試験法
　　　　a.SiCデバイスのPw-Cycleの課題
　　　　b.Pw-Cycle試験方法の国際動向

３．SiCデバイスの今後の展望，まとめ

【質疑応答】

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