ウェットエッチングプロセスの特性評価及び高機能化 セミナー

        
次世代半導体パッケージの最新動向とその材料、プロセスの開発
次世代高速通信に対応する光回路実装、デバイスの開発
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<セミナー No.512209>
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★エッチング機構の基礎,装置,薬液の選び方・使い方,エッチング条件の最適化

★残渣やムラ,パーティクル汚染,エッチング未到達,寸法ズレ・・・トラブル事例とその対策

★環境負荷低減の薬液,超音波の利用など,最近の改善事例

 

ウェットエッチングプロセスとその特性評価及び高機能化

 
■ 講師


広島市立大学 大学院 情報科学研究科 医用情報科学専攻 教授 博士(工学) 式田 光宏 氏

 
■ 開催要領
日 時

【Live配信】2026年1219日(金) 10:30〜16:30 
【アーカイブ(録画)配信】2026年1月6日まで受付(視聴期間:1月6日〜1月16日まで)

会 場 ZOOMを利用したLive配信またはアーカイブ配信 ※会場での講義は行いません
セミナーの接続確認・受講手順は「こちら」をご確認下さい。
聴講料 1名につき55 ,000円(消費税込,資料付)
〔1社2名以上同時申込の場合1名につき49,500円(税込)〕
〔大学,公的機関,医療機関の方には割引制度があります。詳しくは上部の「アカデミック価格」をご覧下さい〕
■ プログラム

【講座の趣旨】

  本セミナーでは,従来から広く用いられてきたウェットエッチング加工(特に 結晶異方性エッチング)について,基礎的な内容(結晶異方性,表面粗さ)を 説明するとともに,具体的な形状作製,エッチング加工の高機能化について 解説する.


【セミナープログラム】


1.結晶異方性エッチングにおける基本特性  
  1.1 エッチング速度の結晶方位依存性  
  1.2 エッチング液濃度および温度依存性  
  1.3 結晶異方性エッチングモデル  
  1.4 表面粗さの結晶方位依存性  
  1.5 エッチング液種の違い(KOHとTMAHの違い)

2.結晶異方性エッチングにおける注意事項  
  2.1 エッチピット発生メカニズムとその対策
  2.2 マイクロピラミッド発生メカニズムとその対策  
  2.3 液中不純物の影響

3.エッチング特性対する添加物の影響
  3.1 金属イオンの影響
  3.2 界面活性剤の影響
4.エッチング加工の高機能化  
  4.1 アンダーカット現象のメカニズムとその対策  
  4.2 多層マスクによるエッチング形状の多面体化
  4.3 エッチング加工の高速化
  4.4 異方性エッチングによるスキャロッピングの選択的除去

【質疑応答】

※受講者の皆様の抱える疑問点や問題点について,セミナー開催3日前までに
「事前リクエスト用紙」 (請求書に同封)を御寄せ頂けましたら,講演中に対応させて頂きます。

※アーカイブ配信への受講申し込みをされた方には,後日,視聴用URLおよび ID ・ PWをお知らせします。