＜セミナー Ｎｏ 603203＞
★液組成，浴温，電流密度，結晶構造，電気抵抗，形状，堆積速度，，，
★めっき添加剤の膜物性への影響は？
★めっき添加剤の選び方と使い方
★めっき膜の評価，膜質および耐久性の向上，今後の技術の展望
関西大学 システム理工学部 名誉教授・特別任用教授 理学博士 新宮原 正三 氏
＜受賞歴＞ 1990年 SSDMベストペーパー賞， 2015年 応用物理学会フェロー表彰 ＜学会・委員会活動＞ 応用物理学会，電気化学会，エレクトロニクス実装学会， Electrochemical Society, Materials Research Society, IEEE ※その他，表面処理関連の執筆，講演多数
2026年3月12日(木） 10：30〜16：00
1名につき５５，０００円（消費税込み，資料付） 〔１社２名以上同時申込の場合のみ１名につ４９，５００円〕 〔大学，公的機関，医療機関の方には割引制度があります。詳しくは上部の「アカデミック価格」をご覧下さい〕
【講座の趣旨】 電解及び無電解めっきによる金属膜形成の基礎を概説する。電解銅めっきによる微細配線形成におけるボトムアップ堆積に関して、添加剤の作用について述べる。また、無電解銅めっきにおける抑止剤添加によるボトムアップ堆積も論じる。さらには、無電解RuめっきやCo合金膜めっきにおける添加剤の影響及び膜質の制御についても概説を行う。 【セミナープログラム】 １．電解めっき法の基礎 ・電解めっきにおける電位―電流（C-V）特性 ２．無電解めっき法の基礎 ・Pd触媒吸着処理 ・無電解Cuめっきの基礎反応過程 ３．電解銅めっきにおけるボトムアップ堆積 ・ダマシン法と微細銅配線技術 ・ボトムアップ堆積における添加剤の効果 ・室温結晶粒成長現象 ４．無電解銅めっきにおけるボトムアップ堆積 ・無電解めっきにおける抑止剤の効果 ・微細孔へのCuボトムアップ堆積における添加剤 ５．めっき添加剤と膜質の関係 ・添加剤の膜中への取り込み ・熱処理における添加剤分子の脱離 ・熱処理による結晶粒成長と電気抵抗率の変化 ６．無電解めっきCo合金によるCu拡散防止効果 ・無電解CoWB膜 ・無電解CoMn膜 【質疑応答】
受講者の皆様の抱える疑問点や問題点について， 開催3日前までに 「事前リクエスト用紙」 （請求書に同封）や 「Eメール」 を御寄せ頂けましたら， 講演中に対応させて頂きます。
