半導体　耐放射線　セミナー

半導体プラズマプロセス技術の制御と計測・モニタリング

AIデータセンター、HPCへ向けた放熱、冷却技術

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＜セミナー　No.608412＞

【Live配信 or アーカイブ配信】

★放射線と物質の相互作用と評価試験、耐性強化の考え方について解説

半導体デバイスに宇宙放射線環境が与える影響

～メカニズムの解説、耐放射線性評価、耐性強化技術～

■　講師

(国研)量子科学技術研究開発機構　高崎量子技術基盤研究所　量子機能創製研究センター　量子材料機能化グループ　グループリーダー博士（工学）　小野田忍　氏

【ご専門】放射線工学、半導体工学、量子材料科学

■　開催要領

日　時	：	【Live配信】２０２６年８月７日（金）　１３：００～１６：００【アーカイブ（録画）配信】２０２６年８月１９日まで受付（視聴期間：８月１９日～８月２８日朝まで）
会　場	：	ZOOMを利用したLive配信またはアーカイブ配信　※会場での講義は行いませんセミナーの接続確認・受講手順は「こちら」をご確認下さい。
聴講料	：	1名につき４９，５００円（消費税込・資料付き）〔１社２名以上同時申込の場合１名につき４４，０００円（税込）〕〔大学、公的機関、医療機関の方には割引制度があります。詳しくは上部の「アカデミック価格」をご覧下さい〕

■　プログラム

【講演ポイント】
　本講演では、CPUやメモリなどの集積回路、パワーデバイス、太陽電池が宇宙放射線環境で使用される際に直面する、代表的な3つの放射線影響について紹介する。あわせて、それぞれの現象について、放射線と物質の相互作用に基づく発生メカニズムを解説する。さらに、耐放射線性評価試験の手法、および耐性強化に向けた基本的な考え方についても学ぶ。

【習得できる知識】
　・宇宙で発生する3つの放射線影響の基礎
　・照射試験装置の仕様
　・宇宙用半導体デバイスの耐放射線性評価技術

【プログラム】
１．はじめに
　1.1 宇宙放射線環境
　1.2 半導体に対する3つの放射線影響と評価指標
　1.3 放射線と物質（半導体材料）の相互作用の基礎
２．放射線照射に係る施設
　2.1 ガンマ線
　2.2 電子線加速器
　2.3 イオン加速器
３．トータルドーズ効果
　3.1 試験方法
　3.3 MOSデバイスにおけるトータルドーズ効果
　3.4 耐性強化のアプローチ
４．はじき出し損傷効果
　4.1 試験方法
　4.3 太陽電池におけるはじき出し損傷効果
　4.4 寿命予測及び耐性強化のアプローチ
５．シングルイベント効果
　5.1 試験方法
　5.2 パワーデバイスにおけるシングルイベント効果
　5.3 様々なシングルイベント効果
　5.4 耐性強化のアプローチ
６．まとめ

【質疑応答】