１章　先端半導体パッケージに対応する
　　　　　　　　　　　　　　　 封止用材料の開発と特性および課題

第１節　半導体封止材用添加剤の特性とその利用技術
１．無機イオン交換体「ＩＸＥ」の特長
２．電子材料への応用例

第２節　半導体封止剤用フェノール硬化剤と先端IC封止剤への対応
１．フェノール樹脂の基礎
２．エポキシ樹脂原料および硬化剤としてのノボラック型フェノール樹脂
３．エポキシ樹脂とフェノール樹脂の反応
４．半導体封止材料エポキシ樹脂硬化剤
５．分子量分布狭分散ノボラック樹脂PAPSシリーズ

第３節　電子デバイス封止材用酸無水物系硬化剤および
　　　　　　　　　　　　　　　　　硬化物の特性と先端封止技術への対応
１．酸無水物の種類と特徴
２．酸無水物の配合と硬化
３．硬化物性の改善
４．酸無水物使用時のポイントおよび注意事項

第４節　リン系硬化促進剤の開発と特性
１．半導体封止材料の構成と硬化促進剤の特徴
２．リン系硬化促進剤
３．硬化促進剤と他材料との相互作用

第５節　イミダゾール系硬化剤・硬化促進剤の特性と最適使用技術
１．イミダゾール系硬化剤の特長
２．各種イミダゾール系硬化剤

第６節　封止材の環境対応と鉛フリー対応、Ｌｏｗ−ｋ対応技術
１．半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の臭素化合物・アンチモン化合物代替難燃化
２．半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の鉛フリー対応技術
３．半導体封止用エポキシ樹脂成形材料のＬｏｗ−ｋ対応技術

第７節　高熱伝導電気絶縁性-液状エポキシ樹脂の開発と特性および応用
１．設計思想
２．成形条件と成形粘度
３．特性値
４．接着強さ
５．温度別可使時間

第８節は著作権の都合上、掲載しておりません

第９節　球状窒化アルミニウム単結晶粒子の開発と樹脂封止材の高熱伝導化
１．研究開発の背景/目的
２．樹脂封止材に要求される特性
３．高熱伝導性フィラー
４．球状AlN単結晶粒子
５．充填率を高めるための粒度配合
６．球状AlNを充填したエポキシ封止材の熱伝導率

２章　先端ICパッケージおよびLEDにおける材料開発

第１節　先端IC封止に対応する成形の最新技術
１．トランスファ成形の基本構造
２．先端IC封止に対応するトランスファ成形技術
３．圧縮成形による半導体パッケージの封止
４．IC封止に対応する成形技術の今後の展望

第２節　熱硬化性液状樹脂を使用した圧縮成形技術
１．圧縮成形技術
２．圧縮成形のアドバンテージ
３．その他の圧縮成形技術

第３節　三次元実装に於けるアンダーフィルの開発
１．三次元実装
２．システム・イン・パッケージ（ＳｉＰ）の技術
３．三次元実装時代のアンダーフィル
４．アンダーフィル技術の新しい試み（工法面からのアプローチ）
５．三次元実装時代を担うアンダーフィル（封止材からのアプローチ）
６．VPESの効果のまとめ

第４節は著作権の都合上、掲載しておりません

第５節　PoP実装におけるパッケージ反りとその対策
１．SiPの動向とPoPの位置づけ
２．PoP実装工法
３．PoP実装品質向上への取り組み

第６節　半導体パッケージ用フリップチップ接続技術における 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　微細ピッチ化の試み
１．フリップチップ接続技術における微細ピッチ化の課題
２．微細ピッチ接続を可能とする無電解Auめっきバンプ
３．低温低加圧接続を可能とする錐型バンプ

第７節　COC(チップオンチップ)のアセンブリ技術とCSP基板実装技術
１．COCのアセンブリ技術
２．CSPの基板実装技術

第８節　パッケージ基板に適応した無電解Ｎｉ−Ｐ／Ａｕめっき技術
１．試験方法
２．実験結果および考察

第９節　鉛フリー半田ボールの材料開発とその長期信頼性
１．鉛フリー半田材料の課題
２．耐落下衝撃特性に優れる鉛フリー材料LF35の開発
３．鉛フリー材料LF35の熱疲労特性
４．LF35の実用化状況

第１０節　ＭＰＵのパッケージ技術
１．ハンダボールによるＣ４バンプ形成
２．ハンダボール搭載
３．リフロー

第１１節　PoP実装におけるはんだ付け工法
　ソルダーペーストを用いた微小はんだバンプ形成技術
　　１．半導体パッケージの市場動向 ２．フリップチップバンプの概念
　　３．製品化へのアプローチ
　　４．ＢＰＳソルダーペースト

　Precoat by Powder Sheet(PPS)法による微小はんだプリコート形成技術
　　１．PPSシート構造および構成
　　２．PPS法によるはんだバンプ形成工程
　　３．PPS工法の応用例
　　４．PPS法のメカニズム

　マイクロソルダーボールを用いたバンプ形成法
　　１．マイクロボール搭載工法
　　２．マテリアル
　　３．技術的課題

第１２節　導電性接着剤を用いたフリップチップ実装技術と接着剤への要求
１．MC型異方導電性接着剤
２．短時間硬化接着剤
３．リペア対応接着剤
４．大面積チップ−樹脂基板接合用アンダーフィル

第１３節　シルセスキオキサンを用いたLED用封止材の開発
　　　　　　　　　　　　　　　　　　 （透明性、耐光性、耐熱性、耐硫黄曝露性）
１．透明エポキシ樹脂と安定化剤
２．透明封止材の分子設計
３．シルセスキオキサン骨格を有する透明封止材の開発

第１４節　樹脂系高放熱LEDパッケージ基板の特性とパッケージ技術
１．高放熱性基板（メタルベース基板）
２．高放熱ＬＥＤパッケージ

第１５節　表面実装型ＬＥＤ用白色反射モールド樹脂
１．表面実装型LED の動向と白色反射モールド樹脂の必要特性
２．成形方法と白色反射モールド樹脂の設計
３．LED 用反射モールド樹脂の事例
４．開発品の寿命

第１６節は著作権の都合上、掲載しておりません

第１７節　ＬＥＤ封止工程における剥離現象と応力解析
１．解析手法
２．LEDパッケージの剥離現象の観察・計測
３．せん断応力に及ぼす粘弾性特性の検討

第１８節　IGBTモジュールのパッケージング技術と高放熱・高耐熱技術
１．パワーエレクトロニクス技術と適用デバイスの動向
２．IGBTチップの技術動向
３．IGBTモジュールの技術動向と高放熱化
４．最新高放熱化技術 ５．高耐熱技術

３章　パッケージングにおける解析・評価

第１節　半導体封止工程における流動挙動と残留ひずみ・応力の解析
１．熱硬化性樹脂の物性値の変化
２．モデル式の構築
３．モデル式を用いた3次元解析例
４．応力解析手順
５．応力解析の結果と検証

第２節　半導体封止用エポキシ樹脂の硬化性・流動性解析と成形性評価
１．硬化性評価法
２．硬化反応速度式と硬化度解析
３．流動性（粘度）モデルと流動性評価
４．成形性評価

第３節　エポキシ樹脂の耐熱衝撃性とその評価試験
１．耐熱衝撃性試験方法
２．無機フィラー充填による耐熱衝撃性の向上
３．異材を含むエポキシ樹脂の耐熱衝撃性評価試験法

第４節　アンダーフィル封止CSP鉛フリーはんだ接合部の熱疲労寿命評価
１．アンダーフィル材
２．熱疲労寿命評価
３．FEM解析方法
４．熱疲労寿命評価結果
５．FEM解析結果
６．熱疲労寿命と相当塑性ひずみ振幅との関係