第1節 軽薄短小化のためのフリップチップ実装技術
1.フリップチップの特徴
2.フリップチップパッケージの構造と実装工程
3.セラミック基板と有機材料基板
4.フリップチップ接続部と信頼性
5.チップ三次元積層
第2節 マイクロバンプを用いたフリップチップ接続のための高速・高精度接合技術
1.高精度フリップチップ接合技術
1.1 高精度アライメント
1.2 高精度ギャップ制御
1.2.1 高精度荷重-位置制御
1.2.2 高精度ギャップ制御
第3節 著作権の都合上、掲載しておりません
第4節 ESC工法によるフリップチップ実装技術と接続信頼性
1.ESC工法の開発
1.1 ESC工法の開発の背景
1.2 ESC工法の概略
1.3 ESC工法の特徴
1.4 ESC5工法の開発
1.4.1 ESC5工法の概要
1.4.2 ESC5工法の検証
1.5 Cuピラーバンプチップへの適用
1.5.1 個別接合方式
1.5.2 一括圧着接合方式
第5節 ボール搭載法によるフリップチップ用はんだバンプ形成技術
1.マイクロボールバンピング法の工程
2.バンプ高さ精度の制御と狭ピッチバンピング
2.1 バンプ高さ制御
2.2 狭ピッチバンピング
3.UBM(境界金属層)とはんだの反応
4.マイクロボールバンピング法によるバンプの信頼性
第6節 FPC上への0402チップ部品の実装技術
1.FPCの特徴
2.FPC上への0402チップ部品実装 ― 技術的課題
2.1 FPCの寸法伸縮のばらつき
2.2 キャリアボード
2.3 はんだペースト印刷工程
2.3.1 はんだペースト
2.3.2 FPCの層構成・構造
2.3.3 メタルマスクの開口・厚さ
2.4 部品搭載工程
2.5 リフロー工程
2.6 0402チップ部品実装後の接合強度
第7節 ワイヤボンディングを用いた高密度パッケージング技術
1.電子機器の動向と半導体製品への要求
1.1 電子機器の動向
1.2 半導体製品への要求と解決策(SiP)
1.3 SiPの事例と技術課題
2.SiPに用いられるワイヤボンディング関連技術
2.1 高密度ワイヤボンディング
2.1.1 ファインピッチボンディング
2.1.2 高密度ルーピング
2.1.3 薄ウエハとオーバーハング上ボンディング
2.2 設計精度の向上
2.3 コスト低減への対応
3.Cuワイヤボンディングの特徴と課題
3.1 Cuワイヤボンディングの特徴
3.2 適用事例と課題
4.まとめ
第8節 複層Cuボンディングワイヤの開発
1.Cuボンディングワイヤへの要求
2.LSI用高機能Cuワイヤの開発
3.複層Cuワイヤの特長
4.ワイヤ接合性
5.ボール接合性
6.ループ制御
7.接合信頼性
第9節 薄型化のためのスクリーン印刷技術
1.印刷機の基本性能
1.1 品質を決定づける要素
1.2 基本性能
1.2.1 充填性能
1.2.2 版離れ性能
1.2.3 マスククリーニング性能
2.印刷技術の応用事例
2.1 3次元印刷が求められる背景
2.2 3次元印刷法の確立
2.2.1 3次元印刷を実現するための充填性能
2.2.2 3次元印刷を実現するための版離れ性能
2.3 3次元印刷を実現するための材料
2.3.1 3次元印刷を実現するためのメタルマスク
2.3.2 3次元印刷を実現するためのはんだ
第10節 ウエハレベル3次元高集積化技術
1.ウエハレベル3次元積層技術
2.バンプレスTSVプロセス技術
3.デバイス薄化積層技術
4.TSV構造の信頼性
4.1 ビアラスト低温CVDプロセス
4.2 低温CVD膜質とCu拡散の関係
4.3 TSVラフネスとリーク電流発生モデル
4.4 TSVリーク電流発生モデル
4.5 TSVの電気的信頼性評価
第11節 WLPを用いた薄型IC内蔵基板技術
1.技術の概要
2.ポリイミド多層配線板技術
3.基板内蔵用ウエハレベルパッケージ技術
4.IC内蔵プロセス
5.信頼性
第12節 FO-WLPによる超小型パッケージの開発
1.RDL-1st FO-WLP技術
1.1 プロセスフロー
1.2 RDL-1st FO-WLPの特徴
1.3 RDL-1st FO-WLP試作例
1.3.1 試作サンプル仕様
1.3.2 ボード実装信頼性評価
2.SMAFTI技術
第13節 MEMSデバイスにおける実装・パッケージング技術
1.集積化MEMS
2.ウェハレベルパッケージング
第14節 MEMSデバイスにおける常温接合技術による軽薄短小化
1.常温接合の原理と特徴
1.1 常温接合の原理
1.2 常温接合の特徴
2.常温接合の応用と接合事例
2.1 MEMSを中心としたウェーハレベルパッケージング
2.2 機能性ウェーハの製造
2.3 直接接合ができることによる高付加価値デバイスへの応用
2.4 3次元積層デバイスへの応用
3.常温接合ウェーハ接合装置
3.1 半自動接合装置
3.2 全自動接合装置
第15節 シリコン貫通電極による半導体実装技術
1.基本的なTSVの構造
2.TSVの製作プロセス
3.イオンエッチングによるビア穴あけ
4.酸化膜,バリヤ,めっき用シード層の生成
5.ビア充填用銅めっき
6.TSVバンプとチップの積層
7.TSVデバイスの製品化
8.TSVの今後の問題点
8.1 ビアの温度による形状変化
8.2 積層による発熱蓄積
8.3 薄ウエハの物性
8.4 TSVウエハの検査,取扱い
第16節 三次元LSIチップ積層実装技術と応用技術
1.ハードウエアシステム集積化技術の変遷
2.3次元LSIチップ積層集積技術の開発動向
3.3次元 LSIチップ積層に対応したインターポーザ技術
4.高速・高密度配線インターポーザ技術
第17節 プリンテッド・エレクトロニクス技術
1.はじめに
2.プリンテッド・エレクトロニクスの材料技術
2.1 有機半導体
2.2 配線材料
3.印刷技術
4.実装技術
5.プリンテッド・エレクトロニクスのこれから
第18節 基板レス構造の半導体パッケージ技術
1.市場動向
2.FO−WLPの市場動向
3.FO−WLPによるパラダイムシフトの可能性と達成課題
4.ジェイデバイスのWFOPの開発コンセプト
5.WFOPの半導体パッケージ特性
5.1 熱抵抗
5.2 電磁波に対するシールド性
5.3 二次実装信頼性
5.4 信頼性評価結果
6.WFOPのデザインロードマップ
第19節 半導体パッケージ基板の薄板化に伴うそり対策
1.プリント配線板材料について
1.1 銅張積層板とプリプレグ
1.2 プリント配線板の製造プロセス
2.技術的背景
2.1 銅張積層板およびプリプレグへの要求事項
2.2 銅張積層板の高弾性率化の必要性
2.3 銅張積層板の低熱膨張化の必要性
3.各種そり対策銅張積層板
3.1 ハロゲンフリー無機充填材入り高弾性率・低熱膨張率銅張積層板
3.2 ハロゲンフリー無機充填材入り高放熱・高弾性率・低熱膨張率銅張積層板
3.3 ハロゲンフリー特殊構造低そり銅張積層板
3.4 ハロゲンフリーフィラーレス熱時高弾性率銅張積層板
第20節 多部品内蔵技術と内蔵基板の薄型化
1.多部品内蔵技術
1.1 部品内蔵配線板の概要
1.2 内蔵部品接合技術
1.3 多部品内蔵技術
2.内蔵基板の薄型化
2.1 部品内蔵配線板の薄型化手法
第21節 部品内蔵プリント配線板の薄型化技術
1.プリント配線板の薄型化を実現する全層ビルドアップ配線板技術
1.1 ビルドアップ配線板の市場動向
1.2 B2itTMプリント配線板プロセスの基本原理
1.3 B2itTMプリント配線板の多層化プロセス
2.小型・薄型化を実現する内蔵部品接続技術
2.1 内蔵部品の小型・薄型化トレンド
2.2 内蔵部品の接続技術
3.薄型部品内蔵プリント配線板の製造プロセス
3.1 全層ビルドアップ技術を用いた薄型部品内蔵プリント配線板『e-B2itTM』の製造プロセス
3.2 全層ビルドアップ技術を用いた薄型部品内蔵プリント配線板『e-B2itTM』の製品例
4.薄型部品内蔵プリント配線板採用による電源性能の向上
第22節 新機能を追求するフレキシブルプリント配線板(FPC)の開発状況
1.高放熱性FPC(メタルベースFPC、MBFC: Metal Based Flex Circuits)
1.1 FPC高放熱機能化の背景
1.2 メタルベースFPC(MBFC)による放熱性課題の解決
2.透明FPC(Transparent Flex Circuits)
2.1 透明FPCの製品ロードマップと透明機能の必要性
2.2 完全透明FPCの開発
2.3 完全透明FPCの開発試作例
3.3D成型FPC(3D-forming Flex Circuits)
3.1 FPC形状保持機能の必要性
3.3 3D成型FPCの応用例
4.一体成形FPC(molding Flex Circuits)
4.1 一体成形によるFPCへの伸縮機能付与
4.2 複雑な動的曲げへの対応
5.伸縮FPC(stretchable Flex Circuits)
5.1 伸縮FPC開発の背景
5.2 伸縮FPCの開発
5.3 ハイブリッド型伸縮FPCの商品化(メディカルヘルス用途)
5.4 伸縮FPCの将来開発
第23節 著作権の都合上、掲載しておりません
第24節 車載用電子機器実装におけるソルダリング技術と信頼性向上策
1.車載用電子機器実装の特徴
2.電子機器実装ソルダリングにおける不適合モードと要因
3.リフロープロファイルの決め方
3.1 温度プロファイルの測定
3.2 リフロープロファイルの構成要素(図1)とその影響
3.3 ソルダペーストとリフロープロファイルの適合性
4.リフロープロファイルを原因とした信頼性不具合
4.1 結晶組織と温度サイクル耐久試験不具合(クラック進展)
4.2 信頼性を低下させる他の要因
第25節 高密度・狭ピッチ対応バンプ形成材料
1.バンプ形成方法
1.1 ペースト印刷法
1.2 めっき法
1.3 ボール搭載法
2.バンプピッチの動向
3.バンプ形成材料
3.1 ウェハ上へのバンプ形成
3.2 インターポーザー上へのバンプ形成
4.高密度・狭ピッチに向けたその他の取り組み
4.1 めっき法
4.2 ペースト印刷法
5.低アルファ線への要求
6.まとめ
第26節 半導体実装における接着剤の要求特性と小型・高密度対応
1.はじめに
2.MC型異方導電性接着剤
2.1 MCフィラーの外観および断面
2.2 電気特性
2.2.1 絶縁特性
2.2.2 接続電気特性
2.3 接合信頼性
3.短時間硬化接着剤
3.1 硬化率
3.2 接合状態
3.3 接合信頼性
4.リペア対応接着剤
4.1 材料設計およびリペア手法
4.2 リペアプロセス
4.3 リペア時の接着剤の状態
4.4 接合信頼性およびリペア性
5.大面積チップ−樹脂基板接合用アンダーフィル
5.1 耐リフロー性
5.2 材料設計
5.3 開発したアンダーフィルを用いたFC-BGAの信頼性
6.Sn-Ag-Cuはんだ代替材料
7.結言
第27節 導電性接着剤の高信頼化
1.はじめに
2.温度サイクル疲労
3.イオンマイグレーション
4.Snめっきとの相性:高温劣化
5.Snめっきとの相性:高湿劣化
6.これから
第28節 軽薄短小化へ向けた半導体封止材の要求性能
1.はじめに
2.半導体の開発動向
2.1 技術動向
2.2 業界動向
3.PKGの開発動向
3.1 前工程
3.2 後工程
4.封止材
4.1 シート材料
4.2 薄層材料
5.今後について
第29節 三次元実装に対応する低熱膨張率の樹脂技術
1.低熱膨張率基材の樹脂設計
2.次世代対応型の低熱膨張、高弾性基材
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