２０２４年１０月２４日（木）　１０：３０〜１６：１５　　

1名につき６０，５００円（消費税込み・資料付き）
〔１社２名以上同時申込の場合１名につき５５，０００円（税込み）〕
〔大学、公的機関、医療機関の方には割引制度があります。
　　　　　　　　 詳しくは上部の「アカデミック価格」をご覧下さい〕

＜１０：３０〜１２：００＞

１．SiC半導体ウェハの製造プロセスと欠陥制御技術

関西学院大学　工学部　教授　Ph. D.　大谷 昇 氏

【講演概要】
本講演では、EV用パワー半導体として大きな注目が集まっているSiCパワー半導体開発の最前線を紹介すると共に、SiC単結晶ウェハの開発状況・ビジネス展開を分かり易く説明します。

【受講対象】
商社、エンジニアリングメーカー、エンジンメーカー、工業炉メーカー、半導体材料・加工・装置・デバイスメーカーの技術者・技術企画担当者・営業担当者、電気自動車を開発している或いは電気自動車関連の技術に興味のある企業の技術者・技術企画担当者・営業担当者、商社マン

【受講後、習得できること】
１）SiCパワー半導体に関する基礎知識
２）SiCパワー半導体の開発・ビジネスの概況
３）SiCパワー半導体の礎となるSiC単結晶ウェハに関する基礎知識
４）SiC単結晶ウェハの開発・ビジネスの概況


【第一部】SiCパワー半導体開発の現状
1.SiCパワー半導体開発の背景
　1.1 環境・エネルギー技術としての位置付け
　1.2 SiCパワー半導体開発がもたらすインパクト

2.SiCパワー半導体開発の歴史
　2.1 SiCパワー半導体開発の黎明期
　2.2 SiC単結晶成長とエピタキシャル成長のブレイクスルー

3.SiCパワー半導体開発の現状と動向
　3.1 SiCパワー半導体の市場
　3.2 SiCパワー半導体関連の学会・業界動向
　3.3 SiCパワー半導体関連の最近のニュース

4.SiC単結晶の物性的特徴と各種デバイス応用
　4.1 SiC単結晶とは？
　4.2 SiC単結晶の物性と特長
　4.3 SiC単結晶の各種デバイス応用

5.SiCパワーデバイスの最近の進展
　5.1 SiCパワーデバイスの特長
　5.2 SiCパワーデバイス（SBD、MOSFET）の現状
　5.3 SiCパワーデバイスのシステム応用

【第二部】SiC単結晶ウェハ製造プロセスの現状と展望
6.SiC単結晶のバルク結晶成長
　6.1 SiC単結晶成長の熱力学
　6.2 昇華再結晶法
　6.3 溶液成長法
　6.4 高温CVD法（ガス法）
　6.5 その他成長法

7.SiC単結晶ウェハの加工技術
　7.1 SiC単結晶ウェハの加工プロセス
　7.2 SiC単結晶の切断技術
　7.3 SiC単結晶ウェハの研磨技術

8.SiC単結晶ウェハ上へのSiCエピタキシャル薄膜成長技術
　8.1 SiCエピタキシャル薄膜成長技術の概要
　8.2 SiCエピタキシャル薄膜成長装置の動向

【第三部】SiC単結晶ウェハ製造の技術課題
9.SiC単結晶のポリタイプ制御
　9.1 SiC単結晶のポリタイプ現象
　9.2 各種ポリタイプの特性
　9.3 SiC単結晶成長におけるポリタイプ制御

10.SiC単結晶中の拡張欠陥
　10.1 各種拡張欠陥の分類
　10.2 拡張欠陥の評価法

11.SiC単結晶のウェハ加工
　11.1 ウェハ加工の技術課題
　11.2 ウェハ加工技術の現状

12.SiCエピタキシャル薄膜成長
　12.1 エピタキシャル薄膜成長の技術課題
　12.2 エピタキシャル薄膜成長技術の現状

13.SiC単結晶ウェハの電気特性制御
　13.1 低抵抗率SiC単結晶ウェハの必要性
　13.2 低抵抗率SiC単結晶ウェハの技術課題と現状

14.SiC単結晶ウェハの高品質化
　14.1 マイクロパイプ欠陥の低減
　14.2 貫通転位の低減
　14.3 基底面転位の低減

15.まとめ

【質疑応答】

＜１３：００〜１４：３０＞

２．レーザーラマン顕微鏡による半導体ウエハーの応力、欠陥の分析技術

ナノフォトン(株)　セールス＆アプリケーションズ　シニアエンジニア　足立 真理子 氏

【講演概要】
レーザーラマン顕微鏡を用いた半導体ウエハーの分析について、基礎から応用まで詳しく解説します。 ラマン分光分析は、少し前までは、非常に測定が難しく、かつ、時間がかかる分析だと思われていましたが、現在はどなたでも手軽に分析できる手法となりました。 本講座では、分析の幅が広がるよう、最先端 半導体材料のラマンイメージングによる応力・欠陥分析事例や、測定のコツをお伝えします。

【受講対象】
半導体評価・分析技術者、半導体プロセス技術者

【受講後習得できること】
ラマン分光分析の基礎、半導体の応力・欠陥分析技術


1.ラマン分光の基本

2.半導体の応力・欠陥分析においてラマン分光でできること
　2.1 組成評価
　2.2 応力評価
　2.3 結晶評価
　2.4 キャリア濃度評価

3.半導体ウエハーのラマン分光分析の課題と技術動向
　3.1 微小領域の分析技術
　3.2 応力評価のポイント
　3.3 ウエハー全面（広範囲）イメージング技術

4.半導体ウエハーのラマンイメージング分析事例
　4.1 Siウエハーの分析
　4.2 SiCウエハーの複合分析
　4.3 GaNウエハーの複合分析
　4.4 ウエハー上の薄膜 (MoS2)　ラマン、フォトルミネッセンス複合分析

5.最新の技術動向とまとめ

【質疑応答】

３．多光子励起フォトルミネッセンスによる結晶欠陥の非破壊・三次元観察

大阪大学　大学院工学研究科　電気電子情報通信工学専攻　量子フォトニクス領域　准教授　博士(工学)　谷川 智之 氏

1.はじめに
　1.1 ワイドギャップ半導体材料の結晶欠陥
　1.2 結晶欠陥の評価解析の必要性

2.結晶欠陥の評価、観察技術

3.多光子励起フォトルミネッセンス法を用いた三次元イメージング
　3.1 三次元イメージングの原理
　3.2 結晶欠陥の非破壊評価
　3.3 結晶欠陥の観察

【質疑応答】