【本講座で学べること】
・EUV用レジストシステムの今後の動向が理解できる
・EUV用レジスト材料の問題点について把握する。
・EUV用レジスト材料の分子設計方法について理解する。
・EUV用レジスト材料の開発の方向性について理解する。
【講座概要】
フォトレジスト材料の開発は、G線、i線、KrFおよびArFエキシマーレーザーと、露光システムの変遷により、そのレジスト材料の骨格を変化させ、露光システムに対応したレジスト材料が開発されてきた。2017年より極端紫外線(EUV)露光システムが実用化されている。しかしながら、EUV露光システムの能力を十分に引き出せるレジスト材料の開発が必要とされ続けている。本テーマでは、これまで開発されてきたレジスト材料の基本的な構造を紹介しながら、レジスト材料の合成方法について、基本的な合成方法から最新の合成例について解説する。さらに、分子レジストや化学増幅型レジストの原理や合成方法について解説し、EUV用レジスト材料の研究開発例を紹介し、それらの問題点、および今後の分子設計方法について解説する。
1.EUV用レジストシステム
1.1 ムーアの法則とEUV用レジストシステム
1.2 EUVレジストシステムの開発の動向
1.3 EUV用レジスト材料の開発の必要性について
1.4 EUV用レジスト材料に求められる特性
2.EUV用レジスト材料
2.1 ポジ型EUV用レジスト材料(化学増幅型EUV用レジスト材料)
2.2 ネガ型EUV用レジスト材料(非化学増幅型EUV用レジスト材料)
2.3 メタルEUV用レジスト材料
3.EUV用レジスト材料の開発例
3.1 高感度型EUVレジスト材料
3.2 EUV用レジスト材料の今後の課題
【質疑応答】 |