１．

(株)イオックス　研究開発部　複合材料グループ　グループ長　中辻 達也 氏

２０２５年４月１５日(火） １０：００〜１６：５０

1名につき６６，０００円（消費税込、資料付）
〔１社２名以上同時申込の場合のみ１名につき６０，５００円〕
〔大学、公的機関、医療機関の方には割引制度があります。詳しくは上部の「アカデミック価格」をご覧下さい〕

※定員になり次第、お申込みは締切となります。

【10:00-11:10】

１．めっきプライマーのガラス貫通基板への適用

●講師　(株)イオックス　研究開発部　複合材料グループ　グループ長　中辻 達也 氏

【習得できる知識】
ナノ粒子、塗料、めっき、ガラスコア

【講座の趣旨】
半導体基板のサブストレート、インターポーザーとしてガラスへの代替が有望視されている。
ガラスへの導電化方法が各種提案されており、現行技術の課題とめっきプライマーの優位性について紹介する。

１．めっきプライマーについて
　1.1　構成要素
　1.2　優位性
　1.3　活用事例

２．ガラス貫通基板について
　2.1　ガラスインターポーザー
　2.2　ガラスサブストレート
　2.3　低誘電基板

３．めっきプライマー「メタロイド」 のガラスへの適用
　3.1　密着性、耐熱性
　3.2　平滑性、寸法安定性
　3.3　光学特性、誘電特性
　3.4　絶縁信頼性、相関密着性
　3.5　ガラス貫通基板への適用

４．今後の開発動向
　4.1　ガラス貫通基板の将来性
　4.2　めっきプライマ―の将来性

【質疑応答】

【11:20-12:50】

２．次世代半導体パッケージ/B5G向けプラズマ表面改質による樹脂フイルム、ガラスへの直接銅めっき、接着剤レス接着技術

●講師　(株)電子技研　事業開発責任者　開発部長　古川 勝紀 氏

【習得できる知識】
・プラズマの基礎及び表面改質の基礎知識
・表面・界面の評価技術及び実際
・表面改質の現状及びプリント基板、パッケージ基板への応用事例

【講座の趣旨】
次世代半導体パッケージでは、ガラス基板が検討されているが、ガラスへの直接銅めっき、フイルムとの直接接着技術が、B5G/6Gでは、低誘電樹脂への投錨効果や接着剤に用いず銅めっきや銅箔との密着性を確保する技術が、確立できていない。電子技研では、減圧プラズマを用いた表面改質により基材表面に強固に結合した官能基（-NH基）を形成することにより、ガラス及び低誘電樹脂への直接銅めっき、および樹脂とを直接接着する技術を開発した。本講演では、本表面改質の原理から実例及び信頼性までを解説するとともに、ガラス基板に関しては、熱膨張係数差に起因するCu/ガラス基板の信頼性低下防止のための無機バッファを用いた取り組みを紹介する。

１．(株)電子技研の会社紹介

２．技術課題

３．プラズマを用いた表面改質による接着原理および状態評価

４．表面改質を用いた直接めっき、直接接着技術原理

５．表面改質を用いた直接めっき
　5.1　低誘電率樹脂（フッ素、LCP、PPE)への直接銅めっき
　5.2　ビア、スルーホールへの高密着直接銅めっき

６．表面改質を用いた接着剤レス直接接着技術
　6.1　低誘電率樹脂と金属（Cu)、低誘電率樹脂との直接接着
　6.2　直接接着の応用
　6.3　コア材（PI、LCP）を用いた多層膜の直接接着

７．ガラス基板への展開（パッケージ基板対応）
　7.1　ガラスへの直接銅めっき
　7.2　ガラスと樹脂の直接接着

８．封止樹脂・接着剤の接着強度改善技術
　8.1　接着剤の接着強度改善(Cu/エポキシ系接着剤)
　8.2　異種材料の密着 (金、セラミックスとシリコーン接着剤の密着強度up)
　8.3　高耐熱封止樹脂の密着性改善

９．応用技術（粉体材料への応用）

【質疑応答】

【13:40-15:10】

３．ガラス基板上Pdフリー化学的Cu層形成とその特性

●講師　 奈良女子大学　特任教授　博士（工学）　伊�ｱ 昌伸 氏

【略歴】
豊橋技術科学大学　名誉教授

【習得できる知識】
・化学溶液析出法と化学還元
・その熱力学的反応機構
・ガラス基板との密着性発現と制御
・ガラス基板表面の前処理と解析技術
・中間層設計と反応設計

【講座の趣旨】
ガラス基板上へのCu層形成は無電解Cuめっきにより行われているが、Pd触媒や複数回の加熱処理が必要である。本講義では、化学溶液析出( Chemical Bath Deposition, CBD)法を用いたCu-OH系層の形成技術と水溶液化学還元プロセスからなる加熱フリー・Pdフリー溶液化学プロセスによってガラス基板上に密着性Cu層を形成する。化合物太陽電池のバッファ層形成技術として工業化されている化学溶液析出法の概要と熱力学に基づく理解と展開、ガラス基板とCu層間に密着性を得るための設計と必要な要件、ならびにCu層形成における還元過程と電気的性質・密着性などの性質などについて概説するとともに、ガラス基板との密着力発現機構について講述する。

１．ガラス基板の構造と表面状態制御
　1.1　ガラス基板の構造と表面状態
　1.2　前処理と表面シラノール増強

２．Pdフリー化学プロセスによるガラス基板上 Cu層形成
　2.1　熱力学に立脚した前駆体設計
　2.2　化学還元反応とモニタリング
　2.3　Cu層の特性
　2.4　Cu層からCu粒子層へ

３．化学溶液析出(CBD)法によるCu-OH, Zn-OH層形成機構
　3.1　CBD法の工業的活用
　3.2　熱力学に立脚した水溶液反応プロセス理解
　3.3　CBD法によるCu-OH,Zn-OH層形成
　3.4　沈殿フリーへの考え方

【質疑応答】

【15:20-16:50】

４．ガラスの熱膨張係数と半導体パッケージング用基板への応用展望

●講師　AGC(株)　材料融合研究所　プロフェッショナル　 博士（工学）　林 和孝 氏

【習得できる知識】
・ガラスの種類・物性に関するの基礎知識
・半導体プロセスにおけるガラスの応用
・ガラスの熱膨張係数が半導体プロセスへの影響
・各種熱膨張係数を持つガラスの種類と特徴、選択基準

【講座の趣旨】
ガラスは、剛性や耐熱性、絶縁性などの利点により、Fan-outウエハ/パネルレベルパッケージングやガラスコアなど、半導体パッケージングプロセスへの活用が期待されている。一方、パッケージングに不可避なガラスとその他の材料間の接合において、熱膨張係数のミスマッチがあると、反りや破壊等の不具合の要因となる。本講演では、これらの不具合の低減のキーとなるガラスの熱膨張係数について解説する。

１．ガラスの基礎
　1.1　ガラスとは・ガラスの利点
　1.2　典型的なガラスの種類
　1.3　主なガラスの物性

２．半導体パッケージングプロセスとガラス
　2.1　パッケージングプロセスに用いられるガラス
　2.2　パッケージ基板として用いられるガラス

３．ガラスの熱膨張係数
　3.1　ガラスの熱膨張の起源
　3.2　様々な熱膨張係数のガラス
　3.3　熱膨張係数を制御する因子�@ 組成
　3.4　熱膨張係数を成業する因子�A 熱履歴

４．半導体パッケージングにおけるガラス熱膨張係数の重要性
　4.1　反りの防止
　4.2　破壊の抑制

５．まとめ

【質疑応答】