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【講座概要】
2025年現在、世界各国は自動車の電動化（xEV）開発に向け大きく進展している。現在その進展のスピードはやや減速していると言われているが、xEV化はもはや大きな潮流となった。xEVの性能を決める基幹部品であるパワーデバイスでは、新材料SiC/GaNデバイスの普及が大いに期待されている。特にSiCデバイスはすでにxEVへの搭載も始まっており、今後はシリコンIGBTをいかに凌駕していくかに注目が集まっている。そこでポイントとなるのが、新材料SiCデバイスの性能、信頼性、さらには価格が市場の要求にどう応えていくかであると思われる。最強の競争相手であるシリコンIGBTからSiC/GaN開発技術の現状と今後の動向について、また最近注目され始めてきた新材料酸化ガリウムパワーデバイスの動向や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説する。
【受講対象】
パワー半導体デバイス，ならびにパワーエレクトロニクス関連装置の業務に携わっている方。パワー半導体デバイスの今後の動向に興味を持たれている方
【受講後習得できること】
パワー半導体デバイスならびにパッケージの最新技術動向。Si-MOSFET, IGBTの強み、SiC/GaNパワーデバイスの特長と課題。パワー半導体デバイスならびにSiC/GaN市場予測。シリコンIGBT、SiCデバイス実装技術。SiC/GaNデバイス特有の設計、プロセス技術、酸化ガリウムパワーデバイス技術など
1.パワーエレクトロニクス（パワエレ）とはなに
1.1 パワエレ&パワーデバイスの仕事
1.2 パワー半導体の種類と基本構造
1.3 パワーデバイスの適用分野
1.4 最近のトピックスから
1.5 パワーデバイスのお客様は何を望んでいるのか？
1.6 シリコンMOSFET・IGBTの伸長
1.7 ノーマリ−オフ・ノーマリーオン特性とはなに？
1.8 パワーデバイス開発のポイント
2.最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
2.1 パワーデバイス市場の現在と将来
2.2 MOSFET特性改善を支える技術
2.3 IGBT特性改善を支える技術
2.4 IGBT薄ウェハ化の限界
2.5 IGBT特性改善の次の一手
2.6 新型IGBTとして期待されるRC-IGBTとはなに
2.7 シリコンIGBTの実装技術
3.SiCパワーデバイスの現状と課題
3.1 半導体デバイス材料の変遷
3.2 ワイドバンドギャップ半導体とは？
3.3 なぜSiCパワーデバイスが新材料パワーデバイスでトップランナなのか
3.4 各社はSiC-IGBTではなくSiC-MOSFETを開発する。なぜか？
3.5 SiC-MOSFETのSi-IGBTに対する勝ち筋
3.6 SiC-MOSFETの普及拡大のために解決すべき課題
3.7 SiC MOSFETコストダウンのための技術開発
3.8 低オン抵抗化がなぜコストダウンにつながるのか
3.9 SiC-MOSFET内蔵ダイオードのVf劣化とは？
3.10 内蔵ダイオード信頼性向上技術
4.GaNパワーデバイスの現状と課題
4.1 なぜGaNパワーデバイスなのか？
4.2 GaNデバイスの構造
4.3 SiCとGaNデバイスの狙う市場
4.4 GaNパワーデバイスはHEMT構造。その特徴は？
4.5 GaN-HEMTのノーマリ−オフ化
4.6 GaN-HEMTの最新技術動向（高耐圧化へ向けて）
4.7 縦型GaNデバイスの最新動向
5.酸化ガリウムパワーデバイスの現状
5.1 酸化ガリウムの特徴は何
5.2 最近の酸化ガリウムパワーデバイスの開発状況
6.SiCパワーデバイス実装技術の進展
6.1 SiC-MOSFETモジュールに求められるもの
6.2 銀または銅焼結接合技術
6.3 SiC-MOSFETモジュール技術
【質疑応答】
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