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【アーカイブ（録画）配信】 ２０２６年７月１６日まで受付（視聴期間：７月１６日〜７月２６日まで）
※２０２６年７月７日(火） １０：３０〜１６：１５の録画配信です

1名につき６０，５００円（消費税込、資料付）
〔１社２名以上同時申込の場合のみ１名につき５５，０００円〕
〔大学、公的機関、医療機関の方には割引制度があります。詳しくは上部の「アカデミック価格」をご覧下さい〕

※定員になり次第、お申込みは締切となります。

１．銀焼結接合界面の構造と破壊挙動の評価

【講座の趣旨】
銀焼結接合ならびに前駆体還元反応を用いた焼結接合法について，その接合界面構造や機械的特性，そして破壊挙動の評価方法について具体例を挙げながら紹介する．

１．電子実装に用いられる高耐熱接合プロセス
　1.1　接合プロセス概説
　1.2　金属微粒子を用いた焼結接合

２．酸化還元反応を用いた金属ナノ粒子その場生成と接合への応用
　2.1　金属前駆体・有機溶剤の選択と接合性
　2.2　多様な金属／非金属材料への接合事例
　2.3　銀焼結接合界面の構造

３．接合界面破壊挙動の評価
　3.1　界面破壊挙動の評価手法
　3.2　界面構造と機械的特性・破壊挙動の関係付け

４．焼結接合プロセスの応用
　4.1　銅材料への応用例
　4.2　通電アシストプロセスへの応用例

【質疑応答】

２．Sn-Cu系接合材およびAg焼結接合材を用いたパワーモジュールの開発

【専門】
半導体パッケージ技術（主にパワーデバイス）

【習得できる知識】
・パワーデバイスおよびそのパッケージング技術の事例
・SiCやGaN HEMTを実装したパワーモジュール開発事例

１．次世代パワー半導体向けパワーモジュールパッケージ開発の取り組み

２．1200V 300A 自社開発SiCパワーモジュールの開発事例
　2.1　パワーモジュールの諸元
　2.2　耐熱温度　200℃
　2.3　Sn-Cu系接合材IMCの適用効果
　2.4　パッケージインダクタンス Ls
　2.5　FLAPの熱抵抗 Rth_j-c
　2.6　まとめ

３．Ag焼結接合を用いた650V 150A自社開発GaN-HEMTパワーモジュール開発事例
　3.1　定常熱抵抗評価に適用するGaN-HEMTパワーモジュール
　3.2　GaN-HEMTパワーモジュールのRth_j-c評価
　3.3　GaN-HEMTパワーモジュールRth_j-c評価結果
　3.4　まとめ

【質疑応答】

３．銀焼成接合部の高信頼性設計
〜材料特性の把握からパッケージ構造での界面破壊制御〜

●講師　ローム(株)　研究開発センター　信頼性技術グループ　グループリーダー　工学博士　若本 恵佑 氏

【専門】
接合技術、接合信頼性、FEA

【略歴】
2015年3月 京都大学工学研究科原子核工学専攻卒業
2015年4月〜ローム株式会社 研究開発センター
2023年3月 京都先端科学大学にて工学博士号取得

【講座の趣旨】
　本講演では、銀焼成接合部の信頼性設計において不可欠となる「機械特性評価」を軸とした設計フローを詳細に解説します。材料単体の応力ひずみ特性から、FEA（有限要素法）を用いたダメージ試算、さらには「九点曲げ試験」や「薄膜継手引張試験」といった評価技術を用いたパッケージ構造での劣化メカニズムまで、理論と実証の両面からアプローチします。

１．大電力パッケージ構造と接合材について
　1.1　銀焼成接合の優位性
　1.2　接合プロセス
　1.3　無加圧銀焼成 vs 加圧銀焼成

２．熱信頼性試験の概要と評価方法
　2.1　熱信頼性試験の概要
　2.2　信頼性設計フロー
　2.3　熱信頼試験代替手法(九点曲げ試験)

３．加圧銀焼成接合劣化評価 (樹脂封止なし)
　3.1　応力ひずみ線図
　3.2　FEAによるダメージ度試算
　3.3　ダメージパラメータ vs 接合劣化率

４．パッケージ構造での銀焼成接合劣化評価
　4.1　界面破壊⇒凝集破壊加速
　4.2　界面強度評価技術 (薄膜継手引張試験技術)
　4.3　パッケージ熱信頼性評価と破壊メカニズム

【質疑応答】