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【講座概要】
4H-SiC、GaN、β-Ga2O3、AlNに代表されるワイドギャップ化合物半導体は、高電力密度、低損失、高温動作時の安定性など、従来の半導体材料を凌駕する特性を有しており、近年、これらを用いた次世代パワーデバイスの研究開発が急速に進展している。しかし、これらの材料は強い共有結合を持つため結晶成長が難しく、成長後の結晶中には転位などの格子欠陥が高密度で存在する。一部の格子欠陥はデバイス性能や信頼性を著しく低下させる要因（いわゆるキラー欠陥）となるため、欠陥の分布や種類を正確に把握し、それらの情報を結晶成長およびデバイスプロセスにフィードバックすることが極めて重要である。
本講演では、ワイドギャップ半導体の結晶評価技術の開発に焦点を当て、各手法の原理と適用事例について基礎から解説する。加えて、各評価技術の適用範囲や課題についても述べるとともに、放射光X線トポグラフィーをはじめ、エッチピット法、透過型電子顕微鏡（TEM）、多光子励起顕微鏡など、最新の評価手法に関する取り組みについて紹介する。
【受講後習得できること】
・パワーデバイス用半導体結晶中の欠陥の評価技術
1.はじめに
1.1パワーデバイス用ワイドギャップ半導体
1.1.1 カーボンニュートラルの産業イメージ
1.1.2 パワーデバイスとは何か
1.1.3 次世代のパワーデバイス ― ワイドギャップ半導体
1.2 結晶中の欠陥
1.2.1 格子欠陥による「信頼性」の懸念
1.2.2 欠陥の種類
1.3 欠陥評価手法とその適用範囲
2.結晶評価手法
2.1選択性化学エッチング（エッチピット法）
2.1.1 SiCのエッチピット形成と分類
2.1.2 GaNのエッチピット形成と分類
2.1.3 AlNのエッチピット形成と分類
2.1.4 Ga2O3のエッチピット形成と分類
2.2 透過型電子顕微鏡
2.2.1 SiCの転位同定
2.2.2 GaNの刃状転位、らせん転位、と混合転位
2.3 多光子励起顕微鏡
2.4 X線回折とX線トポグラフィー
2.4.1 放射光X線トポグラフィー（XRT）とは何か
2.4.2 XRTの原理
2.4.3 反射配置XRT
2.4.4 透過XRT
2.5 その他の手法
【質疑応答】
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