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【本講座で学べること】
・なぜ次世代半導体デバイス製造の後工程にレーザー加工が有望なのか。
・超短パルスレーザー加工の基礎。
・超短パルルスレーザーを用いたガラス穴あけ加工技術の現状と将来展望。
【講座概要】
チップレットや3次元実装などの先端半導体デバイスにおいて、インターポーザやコア基板をシリコンや樹脂からガラスへ置き換える技術開発が急務となっている。ガラスインターポーザの実用化には、微細かつ高アスペクト比のガラス貫通孔電極(TGV:
Through-Glass Via)を高精度・高速で形成する加工技術の確立が不可欠である。TGV製造には、超短パルスレーザーの利用が最も有力視されており、各種手法の開発が進められている。本講座では、超短パルスレーザーを用いた各種ガラス穴あけ加工技術を紹介し、それぞれの技術を比較することで将来展望を解説する。
1.次世代半導体デバイス
1.1 チップレットとインターポーザ、コア基板
1.2 インターポーザ、コア基板に要求される性能および仕様
2.超短パルスレーザー加工の基礎
2.1 超短パルスレーザー加工の特徴
2.2 超短ベッセルビーム
2.3 GHzバーストモード
3.超短パルスレーザーを用いたガラス穴あけ加工
3.1 超短パルスレーザー支援エッチング
3.2 過渡選択的超短パルスレーザー加工
3.3 GHzバーストモードレーザー加工
3.4 各加工法の比較
4.まとめと将来展望
【質疑応答】
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