第1節 SiCパワーデバイス用高放熱、高電流対応GTMS気密パッケージの開発
1.気密端子の基本的構造と課題
1.1 整合封止型気密端子 (マッチングシール)
1.2 気密端子の課題
2.銅材を用いた気密端子
2.1 銅材を用いた気密端子の特性
2.2 今後の展開
3.その他の高機能気密端子
3.1 高耐熱対応気密端子
3.2 GTAS (ガラスとアルミニウムによる封止)
3.3 PFW (Press Fit Weldingの略称)
第2節 パワーデバイスパッケージの放熱性能評価技術
1.過渡熱測定による放熱特性評価
2.熱抵抗と熱容量
3.構造関数
4.過渡熱測定の測定手順
5.故障解析への応用
6.熱流体解析と過渡熱測定の組み合わせによる詳細解析
第3節 車載対応基板材料の開発とはんだクラック抑制技術
1.車載基板におけるはんだクラックの現状
2.車載基板におけるはんだクラック問題の基板材料からの対策手法
3.低弾性プリプレグのはんだクラック抑制効果確認−シミュレーション解析
4.低弾性プリプレグの設計コンセプト及び特性
4.1 低弾性プリプレグの設計コンセプト
4.2 低弾性プリプレグのはんだクラック抑制効果確認−チップ部品実装基板
4.3 低弾性プリプレグの耐熱性およびスルーホール信頼性
5.今後の展開
5.1 BGA実装基板での低弾性プリプレグのはんだクラック抑制効果確認−シミュレーション解析
5.2 BGA実装基板での低弾性プリプレグのはんだクラック抑制効果確認
第4節 車載パワーデバイス向けセラミックス基板の開発
1.パワーモジュールにおけるセラミックス基板
2.セラミックス基板の高信頼性化
3.セラミックス基板の高放熱化
第5節 車載パワー半導体向け高耐熱封止材料の開発
1.次世代パワー半導体向け封止材料の開発コンセプト
1.1 半導体封止材料の高耐熱化
1.1.1 高温処理時の重量減少挙動
1.1.2 高温処理時の絶縁性挙動
1.2 半導体封止材料の高絶縁化
1.2.1 HTRB(High Temperature
Reverse Bias : 高温逆バイアス)耐性の向上
1.2.2 CTI(Comparative Tracking Index : 耐トラッキング指数)特性の向上
1.3 半導体封止材料の耐温度サイクル性向上
2.半導体封止材料の高耐熱化技術
第6節 EV、ハイブリッド自動車用IGBTに向けたヒートシンク技術
1.ヒートシンクの必要特性
2.IGBTの実装方法とヒートシンク
2.1 大型ヒートシンク構造(ヒートスプレッダー)
2.2 小型ヒートシンク構造(熱応力緩衝板)
3.ヒートシンクの種類と特徴
3.1 Moヒートシンク
3.2 Cu-Moヒートシンク
3.3 Cu/Cu-Mo/Cu積層材
3.4 Mg-SiCヒートシンク
3.5 信頼性試験
第7節 車載用SiCパワー半導体の冷却技術(相変化現象を応用した浸漬冷却技術へ向けて)
1.高発熱密度環境における熱抵抗の顕在化
2.相変化を用いた高発熱密度車載用インバータの浸漬冷却
2.1 ロータス型ポーラス銅を用いた沸騰浸漬冷却技術
2.2 気泡微細化沸騰を用いた沸騰浸漬冷却技術
2.3 沸騰浸漬冷却の課題
第8節 車載環境におけるCuワイヤボンディング技術
1.課題
2.Cuワイヤボンディングの硫化腐食
2.1 硫化腐食の現象とメカニズム
3.Alパッドクラック
3.1 Alパッドクラックの現象とメカニズム
3.2 Alパッドクラックの評価と解決方法
3.2.1 パッケージ反り量の設計
3.2.2 ワイヤボンディング位置の設計
第9節 金、銅ワイヤボンディングの信頼性評価
1.実験方法
1.1 試験品
1.2 ストレス試験
1.3 合強度測定
1.4 接合界面の断面観察
2.結果および考察
2.1 せん断強度
第10節 パワーモジュール対応鉛フリーはんだ接合技術
1.高耐熱はんだ
2.パワーサイクル試験における破壊モード
3.添加元素によるはんだ変形能向上
4.添加元素による信頼性向上
第11節 Cuナノ粒子接合のパワーサイクル信頼性の評価
1.評価に用いる試料の構造
2.接合材料の作製
3.熱特性
4.パワーサイクル信頼性
5.接合部のヤング率の測定とパワーサイクル信頼性との関係
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