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【この講座で学べること】
・EUVレジストの基礎
・EUVレジストの要求特性と課題・対策
・EUVレジストの最新技術動向
・EUVメタルレジストの基礎と、課題・対策、開発動向
・EUVドライレジストプロセスの基礎と、課題・対策、開発動向
・EUVレジスト、EUVメタルレジストの技術展望、市場動向
【講座概要】
メモリー、マイクロプロセッサ等のデバイスの高集積化の要求は、携帯端末、情報機器等の高性能化に伴い、益々大きくなっている。微細加工を支えるリソグラフィ技術は現在先端の量産工程でEUVが用いられ、EUVレジストは開発が加速されている。
本講演では、最新のロードマップを紹介した後、EUVリソグラフィの概要を述べ、EUVレジストの基礎、要求特性、課題と対策、最新技術動向について解説する。注目されているEUVメタルレジスト、EUVメタルドライレジストプロセスについて詳しく解説する。おわりにEUVレジスト、EUVメタルレジストの今後の技術展望、市場動向についてまとめる。
１．ロードマップ
1.1 リソグラフィ技術、レジストへの要求特性
1.2 微細化に対応するリソグラフィ技術の選択肢
1.3 最先端デバイスの動向
２．EUVリソグラフィの概要
2.1 露光装置
2.2 光源
2.3 マスク
３．EUVレジストの基礎
3.1 EUVレジストの設計指針
3.2 化学増幅型EUVレジストの反応機構
3.3 EUVレジストプロセス
3.3.1 アンダーレイヤー
４．EUVレジストの要求特性
4.1 化学増幅型EUVレジスト用ポリマー
4.2 化学増幅型EUVレジスト用酸発生剤・クエンチャー
4.2.1 光分解性クエンチャー
５．EUVレジストの課題と対策
5.1 感度/解像度/ラフネスのトレードオフ
5.2 ランダム欠陥（Stochastic Effects）
5.3 EUVレジストの開発動向
5.3.1 ポリマーバウンド酸発生剤を用いる化学増幅型レジスト
5.3.2 ネガレジストプロセス
６．EUVメタルレジスト
6.1 EUVメタルレジスト用材料
6.2 EUVメタルレジストの反応機構
6.3 EUVメタルレジストの性能と開発動向
７．EUVメタルドライレジストプロセス
7.1 EUVメタルドライレジストプロセス用材料
7.2 EUVメタルドライレジストプロセスの反応機構
7.3 EUVメタルドライレジストプロセスの性能と開発動向
８．EUVレジスト、EUVメタルレジストの技術展望、市場動向
【質疑応答】
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