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【この講座で学べること】
・配線階層を縦断するプロセスの視点
・三次元集積化の基幹プロセスの基礎と現状の課題
・今さら聞けないパッケージプロセス構築の留意点
【講座概要】
最先端GPUとHBMにより具現化された生成AIサービスの利活用が急伸しており, そのための巨額なデータセンター投資が市場経済を牽引しています.
さらに, コスト低減, 電力消費の効率化, リアルタイム処理に対応した推論AI, エッジAIが様々な産業分野へ浸透することにより,
半導体産業の成長維持が期待されています. 先端デバイスの微細化開発だけでなく, 先端、非先端デバイスのMix&Matchによる多様なシステムモジュールを市場へ効率的に供給するChiplet
integrationの商流構築への期待も高まっています. 昨今の先進パッケージは突然変異の所与ではなく,
Pb-Free Bump形成やLow-k CPIを萌芽とする, デバイス設計, プロセス,
材料, 装置, テスト, 信頼性評価に亘る“中間領域技術”の進展の成果に依拠しています. この視座から,
本講座では三次元集積化技術の開発推移を整理し, 基幹プロセスの基礎を再訪し, 今後の先進パッケージの動向に言及します.
参加される皆様の理解促進の一助となれば幸いです.
１．市場概況
1.1 Current Topics
1.2 最近の先進半導体デバイスパッケージ（インテグレーション規模の拡大）
２．中間領域技術の進展による価値創出
2.1 “後工程”プロセスの高品位化
2.2 デバイスレベル, システムレベルの性能向上
３．三次元集積化プロセスの基礎
3.1 ロジックとメモリのチップ積層SoC（RDL, Micro-bumping, Mass
reflow積層導入の原点）
3.2 TSVプロセスの選択肢（CIS, HBMからBSPDNへの拡張）
3.3 Wafer Level Hybrid Bonding(CIS, NAND)
3.4 CoW(D2W) Hybrid Bonding（SRAM増強, 異種チップ積層）の課題
3.5 Si/OrganicインタポーザーからSiブリッジによるモールドインタポーザへ（レティクルサイズ制約の解放）
3.6 RDL微細化, 多層化（ダマシンプロセス導入の要否）
４．Fan-Out(FO)型パッケージの基礎
4.1 FOプロセス選択肢の拡張
4.2 封止材料起因の課題
4.3 Through Mold Interconnectによる三次元集積化（InFOの頸木から脱却）
4.4 メモリ, パワーデバイスへ浸透するFOパッケージ
５．Panel Level Process/Package
(PLP)の高品位化の課題
5.1 モールド樹脂基板の反り低減の困難
5.2 マスクレス露光によるインテグレーション規模拡大
６．今後の開発動向と市場動向
6.1 “ガラス基板プロセス”課題の整理
6.2 Co-Packaged Opticsの話題と課題
6.3 AI市場を支配するメモリの動向（LPW, HBF, HBS）
【質疑応答】
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